JEM-F200高分辨场发射透射电子显微镜，能够有效分析材料内部缺陷等微观组织，为失效原因的精准定位提供直接证据，同时，也可为为材料改性和工艺优化提供重要依据。

一、仪器信息

仪器名称：高分辨场发射透射电子显微镜

生产制造商：日本电子株式会社（JEOL）

型号：JEM-F200

二、主要技术参数

1. 点分辨率：0.23 nm/200kV；

2. 线分辨率：0.1nm/200kV；

3. STEM-HAADF分辨：0.16nm；

4. 放大倍率：TEM：×20~2.0M；

       STEM：×200~150M；

5. 能谱仪（EDS）：探测面积:200mm2；

           元素分析范围:4Be~92U；

6. 原位电学探针测试: 探针粗调范围:XY方向2.5mm，Z方向1.5mm

          探针细调范围:XY方向18μm，Z方向1.5μm

             探针细调分辨率:XY方向0.4nm，Z方向0.04nm

7. 原位纳米力-热测试：拉伸测试时最大纵向载荷:100mN

             拉伸测试时最大位移:2μm

          纵向载荷分辨率:3nN

             位移分辨率:0.05nm

8. 原位电学测试：电流精度:±0.15%+100nA

        测量电压分辨率:500μV

        测量电流分辨率:500fA

三、应用领域

广泛应用于金属、能源化工、电子半导体等领域。

四、服务范围

1.对材料进行微观形貌表征、电子衍射分析、二次电子成像、高分辨成像等；

2. EDS元素分析；

3.通过相应的原位附件，可以在纳米尺度下完成原位力学、原位热学以及原位电化学性能测试。